casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTV26N60P
Número da peça de fabricante | IXTV26N60P |
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Número da peça futura | FT-IXTV26N60P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PolarHV™ |
IXTV26N60P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 460W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PLUS220 |
Pacote / caso | TO-220-3, Short Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTV26N60P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXTV26N60P-FT |
IXTN90P20P
IXYS
IXFN80N50
IXYS
IXFN220N20X3
IXYS
IXFN170N10
IXYS
IXTN36N50
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IXTN79N20
IXYS
IXFN180N20
IXYS
IXFN80N60P3
IXYS
IXFN100N50Q3
IXYS
IXFN130N30
IXYS
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel