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IXYS IXTR200N10P

Name: IXTR200N10P
Brand: IXYS
SKU: IXTR200N10P
Price: 8.362136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (744 reviews)

Número da peça MFG: IXTR200N10P

Quantidade disponível: 21200 Peças

Preço de referência: USD 8.362136

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fabricante: IXYS

Descrição breve: HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IXTR200N10P.pdf

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IXTR200N10P Especificações

Número da peça de fabricante	IXTR200N10P
Número da peça futura	FT-IXTR200N10P
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HiPerFET™, PolarP2™
IXTR200N10P Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	ISOPLUS247™
Pacote / caso	ISOPLUS247™
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTR200N10P Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IXTR200N10P-FT

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