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IXYS IXTP4N60P

Número da peça MFG
IXTP4N60P
Quantidade disponível
61350 Peças
Preço de referência
USD 0.896
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
PolarHV™ MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IXTP4N60P.pdf
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IXTP4N60P Especificações

Número da peça de fabricante IXTP4N60P
Número da peça futura FT-IXTP4N60P
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series PolarHV™
IXTP4N60P Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 635pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 89W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220AB
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP4N60P Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXTP4N60P-FT

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