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IXYS IXTP3N100D2

Número da peça MFG
IXTP3N100D2
Quantidade disponível
27980 Peças
Preço de referência
USD 2.328
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
- MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IXTP3N100D2 Especificações

Número da peça de fabricante IXTP3N100D2
Número da peça futura FT-IXTP3N100D2
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
IXTP3N100D2 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
Recurso FET Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220AB
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP3N100D2 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXTP3N100D2-FT

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