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IXYS IXTM67N10

Número da peça MFG
IXTM67N10
Quantidade disponível
90430 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
GigaMOS™ POWER MOSFET TO-3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IXTM67N10 Especificações

Número da peça de fabricante IXTM67N10
Número da peça futura FT-IXTM67N10
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series GigaMOS™
IXTM67N10 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 67A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-204AE
Pacote / caso TO-204AE
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTM67N10 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXTM67N10-FT

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