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IXYS IXTM35N30

Name: IXTM35N30
Brand: IXYS
SKU: IXTM35N30
Availability: InStock
Rating: 4.8 (793 reviews)

Número da peça MFG: IXTM35N30

Quantidade disponível: 91580 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: IXYS

Descrição breve: GigaMOS™ POWER MOSFET TO-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IXTM35N30.pdf

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IXTM35N30 Especificações

Número da peça de fabricante	IXTM35N30
Número da peça futura	FT-IXTM35N30
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	GigaMOS™
IXTM35N30 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Last Time Buy
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-204AE
Pacote / caso	TO-204AE
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTM35N30 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IXTM35N30-FT

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