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IXYS IXTH1N200P3

Name: IXTH1N200P3
Brand: IXYS
SKU: IXTH1N200P3
Price: 5.064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (669 reviews)

Número da peça MFG: IXTH1N200P3

Quantidade disponível: 38090 Peças

Preço de referência: USD 5.064

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fabricante: IXYS

Descrição breve: - MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IXTH1N200P3.pdf

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IXTH1N200P3 Especificações

Número da peça de fabricante	IXTH1N200P3
Número da peça futura	FT-IXTH1N200P3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
IXTH1N200P3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	2000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	23.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	646pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247 (IXTH)
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH1N200P3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IXTH1N200P3-FT

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