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IXYS IXTA3N100D2HV

Número da peça MFG
IXTA3N100D2HV
Quantidade disponível
45610 Peças
Preço de referência
USD 2.39408
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
IXYS
Descrição breve
- MOSFET N-CH
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IXTA3N100D2HV.pdf
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IXTA3N100D2HV Especificações

Número da peça de fabricante IXTA3N100D2HV
Número da peça futura FT-IXTA3N100D2HV
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
IXTA3N100D2HV Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
Recurso FET Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-263HV
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA3N100D2HV Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXTA3N100D2HV-FT

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