casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXSX50N60BD1
Número da peça de fabricante | IXSX50N60BD1 |
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Número da peça futura | FT-IXSX50N60BD1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXSX50N60BD1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 75A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 200A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 50A |
Potência - Max | 300W |
Energia de comutação | 3.3mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 167nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 70ns/150ns |
Condição de teste | 480V, 50A, 2.7 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PLUS247™-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSX50N60BD1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXSX50N60BD1-FT |
IXGA30N60C3D4
IXYS
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M2GL005S-1FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microchip Technology
EP20K400CF672C9ES
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EP3SL200H780C4L
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EP2AGX95DF25C5N
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3LG
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