casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXSR40N60BD1
Número da peça de fabricante | IXSR40N60BD1 |
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Número da peça futura | FT-IXSR40N60BD1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXSR40N60BD1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 70A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 150A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 40A |
Potência - Max | 170W |
Energia de comutação | 1.8mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 190nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 50ns/110ns |
Condição de teste | 480V, 40A, 2.7 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | ISOPLUS247™ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS247™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSR40N60BD1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXSR40N60BD1-FT |
IXST30N60BD1
IXYS
IXST30N60C
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Xilinx Inc.
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A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
XA6SLX25T-3CSG324Q
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XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
10AX115H4F34E3LG
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