casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / IXSN50N60BD3
Número da peça de fabricante | IXSN50N60BD3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IXSN50N60BD3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXSN50N60BD3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 75A |
Potência - Max | 250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 350µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 3.85nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSN50N60BD3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXSN50N60BD3-FT |
APTCV60HM45BC20T3G
Microsemi Corporation
APT75GP120J
Microsemi Corporation
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation
APT200GN60J
Microsemi Corporation
APT75GN120JDQ3
Microsemi Corporation
APT100GT120JU2
Microsemi Corporation
APT150GN60JDQ4
Microsemi Corporation
APT200GN60JDQ4
Microsemi Corporation
APT35GT120JU2
Microsemi Corporation
APT35GT120JU3
Microsemi Corporation