casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXSH20N60B2D1
Número da peça de fabricante | IXSH20N60B2D1 |
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Número da peça futura | FT-IXSH20N60B2D1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXSH20N60B2D1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 35A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 60A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 16A |
Potência - Max | 190W |
Energia de comutação | 380µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 33nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 30ns/116ns |
Condição de teste | 480V, 16A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AD (IXSH) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSH20N60B2D1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXSH20N60B2D1-FT |
IXGH15N120C
IXYS
IXGH15N120CD1
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IXGH16N170AH1
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