casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXRH40N120
Número da peça de fabricante | IXRH40N120 |
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Número da peça futura | FT-IXRH40N120 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXRH40N120 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 55A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 300W |
Energia de comutação | 3mJ (on), 700µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 90nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | - |
Condição de teste | 600V, 35A, 15 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2.1µs |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXRH40N120 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXRH40N120-FT |
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IXYS
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M2GL005S-1FGG484I
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Microsemi Corporation
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Microchip Technology
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EP3SL200H780C4L
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EP2AGX95DF25C5N
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LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3LG
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