casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXGR35N120BD1
Número da peça de fabricante | IXGR35N120BD1 |
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Número da peça futura | FT-IXGR35N120BD1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXGR35N120BD1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 54A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 200A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 35A |
Potência - Max | 250W |
Energia de comutação | 900µJ (on), 3.8mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 140nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 40ns/270ns |
Condição de teste | 960V, 35A, 3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 40ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | ISOPLUS247™ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS247™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGR35N120BD1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXGR35N120BD1-FT |
IXGT28N120B
IXYS
IXGT28N120BD1
IXYS
IXGT28N60B
IXYS
IXGT28N60BD1
IXYS
IXGT30N120BD1
IXYS
IXGT30N60B
IXYS
IXGT30N60B2
IXYS
IXGT30N60B2D1
IXYS
IXGT30N60C2
IXYS
IXGT30N60C2D1
IXYS
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
A3PE600L-FG484M
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256T
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C7N
Intel
LFE2-12E-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF780C3N
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EP3CLS200F780C8N
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