casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXGQ50N60C4D1
Número da peça de fabricante | IXGQ50N60C4D1 |
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Número da peça futura | FT-IXGQ50N60C4D1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXGQ50N60C4D1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 90A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 220A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 36A |
Potência - Max | 300W |
Energia de comutação | 950µJ (on), 840µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 113nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 40ns/270ns |
Condição de teste | 400V, 36A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGQ50N60C4D1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXGQ50N60C4D1-FT |
IXSH50N60B
IXYS
IXXH40N65B4H1
IXYS
IXXH60N65B4H1
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