casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXGQ170N30PB
Número da peça de fabricante | IXGQ170N30PB |
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Número da peça futura | FT-IXGQ170N30PB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Polar™ |
IXGQ170N30PB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 300V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 170A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 85A |
Potência - Max | 330W |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 143nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | - |
Condição de teste | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGQ170N30PB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXGQ170N30PB-FT |
IXSH30N60CD1
IXYS
IXSH30N60U1
IXYS
IXSH35N100A
IXYS
IXSH35N120A
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IXSH35N120B
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M2GL010TS-1VF400I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-3
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EP4SGX530KH40I4N
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LFEC1E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
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EP2AGX65CU17I5N
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EP2AGZ300FF35I3N
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