casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFX66N50Q2
Número da peça de fabricante | IXFX66N50Q2 |
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Número da peça futura | FT-IXFX66N50Q2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™ |
IXFX66N50Q2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9125pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 735W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PLUS247™-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX66N50Q2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFX66N50Q2-FT |
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
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EP2AGX125DF25C5N
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