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IXYS IXFX30N110P

Número da peça MFG
IXFX30N110P
Quantidade disponível
26260 Peças
Preço de referência
USD 18.904
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IXFX30N110P Especificações

Número da peça de fabricante IXFX30N110P
Número da peça futura FT-IXFX30N110P
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HiPerFET™, PolarP2™
IXFX30N110P Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 960W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PLUS247™-3
Pacote / caso TO-247-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX30N110P Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXFX30N110P-FT

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