casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFV20N80P
Número da peça de fabricante | IXFV20N80P |
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Número da peça futura | FT-IXFV20N80P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFV20N80P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4685pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PLUS220 |
Pacote / caso | TO-220-3, Short Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV20N80P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFV20N80P-FT |
IRLW510ATM
ON Semiconductor
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IXFB30N120Q2
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IXFC10N80P
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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EP4SGX360KF43C2
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XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
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EP1S40F780C5
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EPF6024AQC240-3
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