casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFV18N60P
Número da peça de fabricante | IXFV18N60P |
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Número da peça futura | FT-IXFV18N60P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFV18N60P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 360W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PLUS220 |
Pacote / caso | TO-220-3, Short Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV18N60P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFV18N60P-FT |
IRLI610ATU
ON Semiconductor
IRLR4132TRPBF
Infineon Technologies
IRLW510ATM
ON Semiconductor
IRLW610ATM
ON Semiconductor
IRLW630ATM
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ISL9N302AS3
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ITD50N04S4L04ATMA1
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IXFB30N120Q2
IXYS
IXFC10N80P
IXYS
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel