casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFV15N100P
Número da peça de fabricante | IXFV15N100P |
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Número da peça futura | FT-IXFV15N100P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFV15N100P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1000V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 97nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5140pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 543W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PLUS220 |
Pacote / caso | TO-220-3, Short Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV15N100P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFV15N100P-FT |
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