casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFT58N20Q
Número da peça de fabricante | IXFT58N20Q |
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Número da peça futura | FT-IXFT58N20Q |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™ |
IXFT58N20Q Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-268 |
Pacote / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT58N20Q Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFT58N20Q-FT |
IXFT18N100Q3
IXYS
IXFT18N90P
IXYS
IXFT20N100P
IXYS
IXFT20N80P
IXYS
IXFT24N80P
IXYS
IXFT24N90P
IXYS
IXFT26N60P
IXYS
IXFT30N50P
IXYS
IXFT30N60P
IXYS
IXFT320N10T2
IXYS
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel