casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFT36N60P
Número da peça de fabricante | IXFT36N60P |
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Número da peça futura | FT-IXFT36N60P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFT36N60P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 650W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-268 |
Pacote / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT36N60P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFT36N60P-FT |
IXFT140N10P
IXYS
IXFT14N80P
IXYS
IXFT150N20T
IXYS
IXFT16N120P
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IXFT16N80P
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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