casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFP26N30X3
Número da peça de fabricante | IXFP26N30X3 |
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Número da peça futura | FT-IXFP26N30X3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™ |
IXFP26N30X3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 300V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 500µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1.465nF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 170W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP26N30X3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFP26N30X3-FT |
IXTH12N100Q
IXYS
IXTH12N120
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Microsemi Corporation
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Microchip Technology
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10AX115U2F45I2SGE2
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