casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFN32N100P
Número da peça de fabricante | IXFN32N100P |
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Número da peça futura | FT-IXFN32N100P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Polar™ |
IXFN32N100P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1000V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 690W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227B |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN32N100P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFN32N100P-FT |
IXFH60N25Q
IXYS
IXFH66N20Q
IXYS
IXFH67N10
IXYS
IXFH6N100
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A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
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XC3S700AN-4FGG484I
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XC6VLX195T-2FFG784I
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LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation