casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFN26N120P
Número da peça de fabricante | IXFN26N120P |
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Número da peça futura | FT-IXFN26N120P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Polar™ |
IXFN26N120P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 695W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227B |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN26N120P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFN26N120P-FT |
IXFH4N100Q
IXYS
IXFH58N20Q
IXYS
IXFH60N20
IXYS
IXFH60N25Q
IXYS
IXFH66N20Q
IXYS
IXFH67N10
IXYS
IXFH6N100
IXYS
IXFH6N90
IXYS
IXFH70N15
IXYS
IXFH74N20
IXYS
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.