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IXYS IXFH9N80

Número da peça MFG
IXFH9N80
Quantidade disponível
36810 Peças
Preço de referência
USD 7
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
IXYS
Descrição breve
HiPerFET™ MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IXFH9N80 Especificações

Número da peça de fabricante IXFH9N80
Número da peça futura FT-IXFH9N80
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HiPerFET™
IXFH9N80 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 180W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso TO-247-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH9N80 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXFH9N80-FT

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