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IXYS IXFH80N65X2-4

Name: IXFH80N65X2-4
Brand: IXYS
SKU: IXFH80N65X2-4
Price: 8.1344 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (613 reviews)

Número da peça MFG: IXFH80N65X2-4

Quantidade disponível: 83870 Peças

Preço de referência: USD 8.1344

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: IXYS

Descrição breve: HiPerFET™ MOSFET N-CH

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IXFH80N65X2-4.pdf

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IXFH80N65X2-4 Especificações

Número da peça de fabricante	IXFH80N65X2-4
Número da peça futura	FT-IXFH80N65X2-4
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HiPerFET™
IXFH80N65X2-4 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8300pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	890W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247-4L
Pacote / caso	TO-247-4
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH80N65X2-4 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IXFH80N65X2-4-FT

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