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IXYS IXFH60N65X2

Número da peça MFG
IXFH60N65X2
Quantidade disponível
64000 Peças
Preço de referência
USD 6.92
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
HiPerFET™ MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IXFH60N65X2 Especificações

Número da peça de fabricante IXFH60N65X2
Número da peça futura FT-IXFH60N65X2
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HiPerFET™
IXFH60N65X2 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6180pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 780W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor -
Pacote / caso TO-247-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH60N65X2 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXFH60N65X2-FT

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