casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH52N30P
Número da peça de fabricante | IXFH52N30P |
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Número da peça futura | FT-IXFH52N30P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PolarHT™ HiPerFET™ |
IXFH52N30P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 300V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3490pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 400W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AD (IXFH) |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH52N30P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFH52N30P-FT |
IXTT88N30P
IXYS
IXFH22N60P3
IXYS
IXFH60N50P3
IXYS
IXFH26N50P
IXYS
IXFH42N50P2
IXYS
IXFH42N20
IXYS
IXFH16N120P
IXYS
IXFH80N65X2
IXYS
IXFH50N20
IXYS
IXFH12N100
IXYS
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel