casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH180N20X3
Número da peça de fabricante | IXFH180N20X3 |
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Número da peça futura | FT-IXFH180N20X3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HiPerFET™ |
IXFH180N20X3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 154nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 780W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH180N20X3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXFH180N20X3-FT |
IXFH120N30X3
IXYS
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LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation