casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFB40N110P

| Número da peça de fabricante | IXFB40N110P |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IXFB40N110P |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
| IXFB40N110P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1100V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 310nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 19000pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1250W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PLUS264™ |
| Pacote / caso | TO-264-3, TO-264AA |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXFB40N110P Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IXFB40N110P-FT |

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