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IXYS IXFA130N10T2

Número da peça MFG
IXFA130N10T2
Quantidade disponível
48940 Peças
Preço de referência
USD 2.43008
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IXFA130N10T2 Especificações

Número da peça de fabricante IXFA130N10T2
Número da peça futura FT-IXFA130N10T2
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFA130N10T2 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 360W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-263 (IXFA)
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFA130N10T2 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXFA130N10T2-FT

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