casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXER35N120D1
Número da peça de fabricante | IXER35N120D1 |
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Número da peça futura | FT-IXER35N120D1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXER35N120D1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 35A |
Potência - Max | 200W |
Energia de comutação | 5.4mJ (on), 2.6mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 150nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | - |
Condição de teste | 600V, 35A, 39 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 80ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | ISOPLUS247™ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS247™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXER35N120D1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXER35N120D1-FT |
IXGT15N120B
IXYS
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