casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / IXDN75N120
Número da peça de fabricante | IXDN75N120 |
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Número da peça futura | FT-IXDN75N120 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXDN75N120 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
Potência - Max | 660W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 4mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 5.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXDN75N120 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXDN75N120-FT |
APT150GN120J
Microsemi Corporation
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