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IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SI

Número da peça MFG
IXDN602SI
Quantidade disponível
14430 Peças
Preço de referência
USD 1.712
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
IXYS Integrated Circuits Division
Descrição breve
- MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
PMIC - Drivers de Gate
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IXDN602SI.pdf
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IXDN602SI Especificações

Número da peça de fabricante IXDN602SI
Número da peça futura FT-IXDN602SI
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
IXDN602SI Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Configuração Dirigida Low-Side
Tipo de canal Independent
Número de Drivers 2
Tipo de portão IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensão - fonte 4.5V ~ 35V
Tensão Lógica - VIL, VIH 0.8V, 3V
Corrente - Saída de pico (fonte, dissipador) 2A, 2A
Tipo de entrada Non-Inverting
Alta Tensão Lateral - Max (Bootstrap) -
Tempo de subida / queda (Typ) 7.5ns, 6.5ns
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SOIC-EP
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXDN602SI Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IXDN602SI-FT

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