casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXBK75N170
Número da peça de fabricante | IXBK75N170 |
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Número da peça futura | FT-IXBK75N170 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | BIMOSFET™ |
IXBK75N170 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 580A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 75A |
Potência - Max | 1040W |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 350nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | - |
Condição de teste | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 1.5µs |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-264 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBK75N170 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXBK75N170-FT |
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