casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXBF20N360
Número da peça de fabricante | IXBF20N360 |
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Número da peça futura | FT-IXBF20N360 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | BIMOSFET™ |
IXBF20N360 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 3600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 45A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 220A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A |
Potência - Max | 230W |
Energia de comutação | 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 43nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 18ns/238ns |
Condição de teste | 1500V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 1.7µs |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | i4-Pac™-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBF20N360 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXBF20N360-FT |
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IXYS
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5SGSMD5H3F35I3LN
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XC7VX690T-2FFG1930I
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XC7K410T-1FFG900C
Xilinx Inc.