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Número da peça de fabricante | ISC1812RQ100J |
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Número da peça futura | FT-ISC1812RQ100J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1812 |
ISC1812RQ100J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 279mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 25MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812RQ100J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1812RQ100J-FT |
ISC1812ES180K
Vishay Dale
ISC1812ES181J
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ISC1812ES181K
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ISC1812ES1R0J
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ISC1812ES1R2K
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ISC1812ES1R8J
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XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel