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Número da peça de fabricante | ISC1812ES2R2K |
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Número da peça futura | FT-ISC1812ES2R2K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1812 |
ISC1812ES2R2K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 390mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 460 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 80MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ES2R2K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1812ES2R2K-FT |
ISC1812ER1R0K
Vishay Dale
ISC1812ER1R5J
Vishay Dale
ISC1812ER1R5K
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ISC1812ER270K
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A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel