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Número da peça de fabricante | ISC1812ER1R0J |
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Número da peça futura | FT-ISC1812ER1R0J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1812 |
ISC1812ER1R0J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 447mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 350 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 140MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ER1R0J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1812ER1R0J-FT |
ISC1812EB121J
Vishay Dale
ISC1812EB121K
Vishay Dale
ISC1812EB150J
Vishay Dale
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ISC1812EB151K
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ISC1812EB181J
Vishay Dale
ISC1812EB181K
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel