casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / ISC1812EBR33J
Número da peça de fabricante | ISC1812EBR33J |
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Número da peça futura | FT-ISC1812EBR33J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1812 |
ISC1812EBR33J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 330nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 418mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 280MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812EBR33J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1812EBR33J-FT |
ISC1812BNR10K
Vishay Dale
ISC1812BNR10M
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ISC1812BNR33K
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LCMXO1200C-3T100I
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Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C7N
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10AX048K4F35I3LG
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5SGXEA3K2F35I3
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XC2VP50-6FF1148C
Xilinx Inc.
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