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Número da peça de fabricante | ISC1812EB4R7K |
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Número da peça futura | FT-ISC1812EB4R7K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1812 |
ISC1812EB4R7K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 336mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 620 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 50MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812EB4R7K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1812EB4R7K-FT |
ISC1812BN3R9J
Vishay Dale
ISC1812BN3R9K
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ISC1812BN470J
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ISC1812BN560K
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LCMXO640C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU5P-L1FFVB676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3N
Intel
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F31C8N
Intel
5CGXBC7C7F23C8N
Intel
5CGXFC3B6U15C7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel