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Número da peça de fabricante | ISC1812EB271J |
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Número da peça futura | FT-ISC1812EB271J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1812 |
ISC1812EB271J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 270µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 101mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 6.9 Ohm Max |
Q @ Freq | 40 @ 796kHz |
Freqüência - auto-ressonante | 4MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 796kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812EB271J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1812EB271J-FT |
ISC1812BN1R8K
Vishay Dale
ISC1812BN220J
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ISC1812BN2R2J
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
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XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
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AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
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