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Número da peça de fabricante | ISC1812EB120J |
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Número da peça futura | FT-ISC1812EB120J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1812 |
ISC1812EB120J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 12µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 265mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 22MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812EB120J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1812EB120J-FT |
ISC1812ER221J
Vishay Dale
ISC1812BN100J
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ISC1812BN100K
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ISC1812BN102K
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ISC1812BN120J
Vishay Dale
ISC1812BN120K
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ISC1812BN121J
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel