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Número da peça de fabricante | ISC1812EB100J |
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Número da peça futura | FT-ISC1812EB100J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1812 |
ISC1812EB100J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 279mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 25MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812EB100J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1812EB100J-FT |
IFLR4027EZERR10M01
Vishay Dale
IFLR4027EZERR15M01
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IFLR4027EZER85NM01
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ISC1812BN100J
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ISC1812BN100K
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ISC1812BN101J
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel