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Número da peça de fabricante | ISC1210SYR82M |
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Número da peça futura | FT-ISC1210SYR82M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210SYR82M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 160MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210SYR82M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210SYR82M-FT |
ISC1210ERR47K
Vishay Dale
ISC1210ERR47M
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ISC1210ERR56J
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ISC1210ERR82K
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ISC1210ERR82M
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XC4005E-2PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
5SGSMD6N3F45I3N
Intel
5SGXEB6R2F43I3L
Intel
LCMXO2-4000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EP4SGX230FF35C4
Intel