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Número da peça de fabricante | ISC1210ERR18M |
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Número da peça futura | FT-ISC1210ERR18M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210ERR18M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 180nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 580mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 240 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 400MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ERR18M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210ERR18M-FT |
ISC1210EBR10K
Vishay Dale
ISC1210EBR10M
Vishay Dale
ISC1210EBR12J
Vishay Dale
ISC1210EBR12M
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ISC1210EBR15J
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ISC1210EBR15K
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ISC1210EBR18J
Vishay Dale
ISC1210EBR18M
Vishay Dale
ISC1210EBR22J
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel