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Número da peça de fabricante | ISC1210EBR82M |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EBR82M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EBR82M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 160MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR82M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EBR82M-FT |
ISC1210BNR68M
Vishay Dale
ISC1210BNR82J
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ISC1210BNR82K
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ISC1210EB10NK
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ISC1210EB10NM
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EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel