casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / ISC1210EBR82J
Número da peça de fabricante | ISC1210EBR82J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EBR82J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EBR82J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 160MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR82J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EBR82J-FT |
ISC1210BNR56M
Vishay Dale
ISC1210BNR68K
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EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel