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Número da peça de fabricante | ISC1210EBR82J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EBR82J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EBR82J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 160MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR82J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EBR82J-FT |
ISC1210BNR56M
Vishay Dale
ISC1210BNR68K
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XC3S250E-4CPG132I
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XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
ICE40UL640-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFI144-2X
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EP4SE530H40I3
Intel
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel